ПРИМЕНЕНИЕ НОРМАЛЬНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ИЗМЕНЕНИЙ КОЛИЧЕСТВА ЦЕНТРОВ СВЕЧЕНИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

Authors

  • Т. Прокофьев
  • В.  Гнатушенко
  • А. Реута

Keywords:

normal distribution, photoluminescence spectra, luminescence centers, spectrum decompozition

Abstract

In this paper we consider the application of a normal distribution for analyzing the relative changes in the number of luminescence centers under external influences. The photoluminescence spectra of Mn2+ ions in ZnS single crystals were used as a model material for the verify of the applicability. The plastic deformation of the crystals was used as an external action.

References

1. Георгобиани А.Н. Влияние отжига в парах собственных компонентов на желтую полосу свечения кристаллов и пленок ZnS:Mn / А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, Сю Сю Юнь, Зидонг Лоу // Неорганические материалы. – T. 34, № 8. – 1998. – C. 932–935.
2. Vorobkalo F. M. Effect of heat treatment on the 0.93, 1.0 and 1.28 eV luminescence bands in n-GaAs / F. M. Vorobkalo, K. P. Glinchuk, A. V. Prokhorovicjh, G. John // Phys. Stat. Sol. (a).– 1973.– V. 15.- P. 287–293.
3. Будянский В. И. Дифференциальный спектр люминесценции / В. И. Будянский, Д. С. Лепсверидзе, Е. А. Сальков, Г. А. Шепельский // Физика твердого тела. –Т. 15, №5. – 1973. – С. 1620-1621.
4. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи метода Аленцева / М. В.Фок // Труды ФИАН СССР. – T. 59. –1972. – С. 3-24.
5. Феллер В. Введение в теорию вероятностей и ее приложения: пер. с англ. 2 изд. М.: Мир, 1984. –Т. 1-2. – 1280 с.
6. Форсайт Дж., Малькольм М., Моулер К. Машинные методы математических вычислений: пер. с англ. – М.: Мир, 1980. – 280 с.
7. Gumlich H. E. Elektro and photoluminescence propertise of Mn2+ in ZnS and ZnСdS / H. E. Gumlich // J. Lumin. – 1981. – V. 23. – P. 73-99.
8. Буланый М. Ф. О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка / М. Ф. Буланый, Б. А. Полежаев, Т. А. Прокофьев // Физика и техника полупроводникков. – T. 32, № 6. –1998. – С. 673-675.

Downloads

Published

2020-05-04