Радіаційна чутливість планарних npn структур, виготовлених на ізовалентно легованому германієм кремнії (nSiGe)
DOI:
https://doi.org/10.34185/1991-7848.2019.01.02Ключові слова:
кремній легований германієм, деградація підсилюючих властивостей, тестовий транзистор, дія іонізуючого випромінюванняАнотація
Досліджена радіаційна чутливість npn структур, виготовлених на кремнії, легованому германієм (nSiGe). Проведена порівняльна оцінка деградації h21E тестових npn структур ІС, виготовлених на nSiGe з різною концентрацією Ge і шириною бази, до дії α-випромінювання для підтвердження технологічної застосовності ізовалентно легованого Ge кремнію для формування працездатних в полях іонізуючих випромінювань приладових структур. Показано, що швидкість деградації підсилюючих властивостей тестового планарного транзистора нелінійно залежить як від концентрації ізовалентної домішки, так і від дози α-опромінення, причому характер залежності визначається шириною бази приладу. Отримані залежності підтверджують можливість використання SiGe для виготовлення дискретних напівпровідникових приладів, стійких до дії іонізуючого випромінювання.
Посилання
Efstratia N. Sgourou, Yerasimos Panayiotatos, Ruslan V. Vovk, Alexander Chroneos. Toward Defect Engineering Strategies to Optimize Energy and Electronic Materials. Review. Appl. Sci. 2017, 7, 674; doi: 10.3390/app7070674 2. A. Alkauskas, M. D. McCluskey, Chris G. Van de Walle. Tutorial: Defects in semiconductors—Combining experiment and theory. Journal of Applied Physics, 119(18), 181101, 2016 https://doi.org/10.1063/1.4948245
A. Chroneos, C. A. Londos, E. N. Sgourou, P. Pochet. Point defect engineering strategies to suppress A-center formation in silicon. Appl. Phys. Lett. 99, 241901 (2011); doi: 10.1063/1.3666226. View online: http://dx.doi.org/10.1063/1.3666226
C. A. Londos, E. N. Sgourou, D. Hall, A. Chroneos. Vacancy-oxygen defects in silicon: the impact of isovalent doping. J. Mater. Sci.: Mater Electron (2014) 25:2395–2410 http://dx.doi.org/10.1007/s10854-014-1947-6
Kritskaya T. V. Sovremennyie tendentsii polucheniya kremniya dlya ustroystv elektroniki: monografiya / T. V. Kritskaya; Zaporozh. gos. inzhener. akad. - Zaporozhe: ZGIA, 2013. – 353 c.
Byitkin S.V., Kritskaya T.V. Modelirovanie S-obraznogo protsessa nakopleniya A- i E-tsentrov v izovalentno legirovannom germaniem kremnii v srede Statistica i MathCAD. «SuchasnI problemi metalurgIYi», # 21, vipusk 1- 2018. S. 29-35
Radiatsionnyie effektyi v integralnyih mikroshemah i metodyi ispyitaniy izdeliy poluprovodnikovoy elektroniki na radiatsionnuyu stoykost [Uchebn. pos. po distsipl. «Radiatsionnaya stoykost izdeliy elektronnoy tehniki»] / E.N. Vologdin, A.P. Lyisenko. - M.: Nauchno-obrazovatelnyiy tsentr Moskovskogo regiona v oblasti fundamentalnyih problem radiatsionnoy fiziki tverdogo tela i radiatsionnogo materialovedeniya. Moskovskiy gosudarstvennyiy institut elektroniki i matematiki. -2002. - 46 s.
S. Bytkin. Use of germanium doped silicon (n-SiGe〉) for manufacturing radiation hardened devices and integrated circuits. Conference Paper. October 1997. DOI: 10.1109/RADECS.1997.698872. Conference: Radiation and Its Effects on Components and Systems, 1997. RADECS 97. FourthEuropeanConferenceon)
Kritskaya T.V. Upravlenie svoystvami i razrabotka promyishlennoy tehnologii monokristallicheskogo kremniya dlya elektroniki i solnechnoy energetiki: diss. doktora tehn. nauk: 05.16.03 / Kritskaya Tatyana Vladimirovna. – Zaporozhe, 2006. – 375 s. 10. Troyan P.E. Mikroelektronika: Uchebnoe posobie. – Tomsk: Tomskiy gosudarstvennyiy universitet sistem upravleniya i radioelektroniki, 2007. - 346 s.
Deystvie pronikayuschey radiatsii na izdeliya elektronnoy tehniki / Pod red. E. A. Ladyigina. — M.: Sov. Radio, 1980. — 224 s. 12. Bytkin S.V. Konkurentnaya razvedka kon'yunkturno-tehnologicheskih perspektiv traditsionnogo i high-tech eksporta Ukrainyi: monografiya / Byitkin S.V.; ZaporIz. derzh. Inzh. akad. – ZaporIzhzhya: ZDIA, 2017. – 276s.
Bytkin S.V., Kritskaya T.V., Radin E.G., Goncharov V.I., Kunitskiy Yu.I., Kobeleva S.P. Eksperimentalnoe issledovanie harakteristik tiristorov, izgotovlennyih na Si, pri deystvii gamma-oblucheniya. Izvestiya vyisshih uchebnyih zavedeniy. Materialyi elektronnoy tehniki. #3, 2012, str. 45-48.
Byitkin S.V., Kritskaya T.V., Kobeleva S.P. Statisticheskiy analiz vliyaniya Ge na radiatsionnuyu i termicheskuyu stabilnost elektrofizicheskih harakteristik pribornyih n-p-n-p-struktur na osnove CZ-Si
. Izvestiya vyisshih uchebnyih zavedeniy. Materialyi elektronnoy tehniki. # 4, 2013, str. 42-48.
Byitkin S. V., Kritskaya T.V. Modelirovanie protsessa nakopleniya radiatsionnyih defektov v protsesse oblucheniya monokristallov Si
i Si
. // MetalurgIya. ZbIrnik naukovih prats ZaporIzkoYi derzhavnoYi InzhenernoYi akademIYi, vip.1(21). ZaporIzhzhya, 2010, stor.116-125.
