МОДЕЛЮВАННЯ S-ОБРАЗНОГО ПРОЦЕСУ НАКОПИЧЕННЯ А- І Е-ЦЕНТРІВ В ІЗОВАЛЕНТНОЮ ЛЕГОВАНИХ ГЕРМАНІЄМ КРЕМНІЇ В СЕРЕДОВИЩІ STATISTICA І MATHCAD
DOI:
https://doi.org/10.34185/1991-7848.2018.01.06Ключові слова:
легування кремнію германієм, нелінійне накопичення основних радіаційних дефектів, виготовлення радіаційно-стійких напівпровідникових приладівАнотація
Досліджено нелінійне накопичення основних радіаційних дефектів (А- і Е- центрів) в кремнії, що піддається опроміненню α-частинками. Проведено моделювання цього процесу в середовищі STATISTICA і MathCAD. Показано, що легування кремнію германієм дозволяє істотно сповільнити радіаційну деградацію кремнію в певному діапазоні доз опромінення і використовувати такий матеріал для виготовлення радіаційно-стійких напівпровідникових приладів, зокрема, багатошарових структур високовольтних силових приладів загальнопромислового і транспортного електроприводу.
Посилання
Munaf Rahimo. Power Semiconductors for Power Electronics Applications ABB Switzerland Ltd, Semiconductors. CAS-PSI Special course Power Converters, Baden Switzerland, 8th May 2014, slides 43, 46.
Bytkin S.V. Silicon Doped with Germanium (n-Si) Usage For Manufacturing Of Radiation Hardened Devices And Integrated Circuits. Fourth European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems Proceedings, 1997. Cannes, France, pp. 141-146.
Byitkin S.V., Kritskaya T.V., Radin E.G., Goncharov V.I., Kunitskiy Yu.I., Kobeleva S.P. Eksperimentalnoe issledovanie harakteristik tiristorov, izgotovlennyih na Si, pri deystvii gamma-oblucheniya. Izvestiya vyisshih uchebnyih zavedeniy. Materialyi elektronnoy tehniki. #3, 2012, str. 45-48.
S. V. Bytkin, T. V. Kritskaya, S. P. Kobeleva. Statistical analysis of germanium influence on radiation and thermal stability of the n-p-n-p device structures based on CZ-Si〈P, Ge〉 electrophysical properties. Russian Microelectronics, December 2014, Volume 43, Issue 8, pp. 546–551.
S. Taranovich. Si vs. GaN vs. SiC: Which process and supplier are best for my power design? Сайт EDN, March 15, 2013. [Электронный ресурс] Режим доступа / http://www.edn.com/design/power-management/4409627/3/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design.
Kritskaya T. V. Sovremennyie tendentsii polucheniya kremniya dlya ustroystv elektroniki: monografiya / T. V. Kritskaya; Zaporozh. gos. inzhener. akad. - Zaporozhe: ZGIA, 2013. - 353 c.
Crystal Growth Technology. [Электронный ресурс] Режим доступа / https://www.google.com.ua/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&frm=1&source=web&cd=2&cad=rja&uact=8&ved=0CCYQFjABahUKEwicjvyjgJrJAhXGCCwKHX4eBQQ&url=https%3A%2F%2Fwww.jsap.or.jp%2Fenglish%2Fimages%2Facademic_roadmap%2Farm_e_09.pdf&usg=AFQjCNGIxTwXP53r7IiRQ5U3f-E_rvbK4A&bvm=bv.107763241,d.bGg.
R.Pell. Power Week: Si-Based Power Discretes to Continue to Dominate Over Next Decade. Сайт EETimes 11/26/2014. [Электронный ресурс] Режим доступа / http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1324777&.
Kognitivnyiy vyizov i informatsionnyie tehnologii / G.G. Malinetskiy [i dr.] // Preprintyi IPM im. M.V. Keldyisha. 2010. # 46. 28 s. URL: http://library.keldysh.ru/preprint.asp?id=2010-46.
Zhukova E.A. Hi-Tech: fenomen, funktsii, formyi. / Pod red. I.V. Melik -Gaykazyan. - Tomsk: Izdatelstvo Tomskogo gosudarstvennogo pedagogicheskogo universiteta, 2007. - 376 s.
G. Fisher, M. R. Seacrist, R. W. Standley. Silicon Crystal Growth and Wafer Technologies. ProceedingsoftheIEEE, Vol. 100, May 13th, 2012, 1454-1474.
Byitkin S. V., Kritskaya T.V. Modelirovanie protsessa nakopleniya radiatsionnyih defektov v protsesse oblucheniya monokristallov Si
i Si
. MetalurgIya. ZbIrnik naukovih prats ZaporIzkoYi derzhavnoYi InzhenernoYi akademIYi, vip.1(21). – ZaporIzhzhya, 2010. – S.116-125.
BytkinS.V. Reduction of the Thermostable Radiation Defects Probability Formation in Si and SiGe as a Physical Basis of the Bipolar npn Transistors Radiation Hardness Increase at the Application of the Radiation & Thermal Processing (RTP- technology). MAPLD 2004 Proceedings, September 8-10, 2004. The Johns Hopkins University- Applied Physics Laboratory-Laurel, Maryland, USA. [Электронный ресурс] Режим доступа / http://klabs.org/mapld04/papers/p/p138_bytkin_p.doc.
C.A. Londos, E. N. Sgourou, A. Chroneos, V. V. Emtsev. Carbon, oxygen and intrinsic defect interactions in germanium-doped silicon. Semicond. Sci. Technol. 26(2011) 105024 (7pp) [Электронныйресурс] Режимдоступа / Online at stacks.iop.org/SST/26/105024.
Kritskaya T.V. Uprugie napryazheniya v kremnii s vnutrennimi getterami / T.V. Kritskaya, V.E. Kustov, N.A. Tripachko, V.I. Shahovtsov // Elektronnaya tehnika. Ser. Materialyi. -1989. -vyip. 4. (241). - S.41-43.
Kustov V.E. Vliyanie germaniya na vnutrennie uprugie napryazheniya v kislorodosoderzhaschem kremnii / V.E. Kustov, T.V. Kritskaya, N.A. Tripachko, V.I. Shahovtsov // FTP. - 1988. -t.22.- vyip. 2. - S.313-315.
Kustov V.E. Vnutrennie uprugie deformatsii v kremnii / V.E. Kustov, T.V. Kritskaya, N.A. Tripachko, L.I. Hirunenko, V.I. Shahovtsov, V.I. Yashnik // Neorganicheskie materialyi. - 1991. - t.27, #6. - S. 1116-1118.
Kritskaya T.V., Byitkin S.V., Radiatsionnaya degradatsiya vremeni zhizni neosnovnyih nositeley zaryada v kremnievyih p -n-strukturah. // MetalurgIya. ZbIrnik naukovih prats ZaporIzkoYi derzhavnoYi InzhenernoYi akademIYi, vip. 1(26). – ZaporIzhzhya, ZDIA, 2012. – s.110-116
Vologdin E.N. Radiatsionnyie effektyi v integralnyih mikroshemah i metodyi ispyitaniy izdeliy poluprovodnikovoy elektroniki na radiatsionnuyu stoykost [Uchebnoe posobie po distsipline «Radiatsionnaya stoykost izdeliy elektronnoy tehniki»] / E.N. Vologdin, A.P. Lyisenko. - M.: Nauchno-obrazovatelnyiy tsentr Moskovskogo regiona v oblasti fundamentalnyih problem radiatsionnoy fiziki tverdogo tela i radiatsionnogo materialovedeniya. Moskovskiy gosudarstvennyiy institut elektroniki i matematiki. -2002. - 46 s.
