Радіаційна чутливість планарних npn структур, виготовлених на ізовалентно легованому германієм кремнії (nSiGe) (Сучасні Проблеми Металургії, 2019)
Досліджена радіаційна чутливість npn структур, виготовлених на кремнії, легованому германієм (nSiGe). Проведена порівняльна оцінка деградації h21E тестових npn структур ІС, виготовлених на nSiGe з різною концентрацією Ge і шириною бази, до дії α-випромінювання для підтвердження технологічної застосовності ізовалентно легованого Ge кремнію для формування працездатних в полях іонізуючих випромінювань приладових структур. Показано, що швидкість деградації підсилюючих властивостей тестового планарного транзистора нелінійно залежить як від концентрації ізовалентної домішки, так і від дози α-опромінення, причому характер залежності визначається шириною бази приладу. Отримані залежності підтверджують можливість використання SiGe для виготовлення дискретних напівпровідникових приладів, стійких до дії іонізуючого випромінювання.
Keywords: кремній легований германієм; деградація підсилюючих властивостей; тестовий транзистор; дія іонізуючого випромінювання