(untitled) (Сучасні Проблеми Металургії, 2019)
Досліджена радіаційна чутливість npn структур, виготовлених на кремнії, легованому германієм (nSiGe). Проведена порівняльна оцінка деградації h21E тестових npn структур ІС, виготовлених на nSiGe з різною концентрацією Ge і шириною бази, до дії α-випромінювання для підтвердження технологічної застосовності ізовалентно легованого Ge кремнію для формування працездатних в полях іонізуючих випромінювань приладових структур. Показано, що швидкість деградації підсилюючих властивостей тестового планарного транзистора нелінійно залежить як від концентрації ізовалентної домішки, так і від дози α-опромінення, причому характер залежності визначається шириною бази приладу. Отримані залежності підтверджують можливість використання SiGe для виготовлення дискретних напівпровідникових приладів, стійких до дії іонізуючого випромінювання.